Product Summary

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6 B2
H?chstzul?ssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 1200 A
DC-collector current TC = 25 °C IC 2400 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 2400 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor Ptot 9,6 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF 1200 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms IFRM 2400 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 440 kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4 kV